九游会j9

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                碲锌镉单晶生长设备
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                碲锌镉单晶生长设备

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                第一代

                第二代

                低缺陷碲锌镉生长设备主要用于生长碲锌镉单晶材料,2000年从第一代产品开发起,目前的为我公司开发的第三代碲锌镉单晶生长设备,具有独特的专利技术,大大提高了炉膛的径向温度均匀性和稳定性;该设备为VB方法生长单晶。有THM单炉体,双炉体,四炉体设备,炉膛内径50-152mm。

                低缺陷碲锌镉生长设备的调速范围大:炉体上下移动和安瓿旋转二个动作。炉体上下移动速度即0.01-99.99mm/min,0.01-99.99mm/hr。安瓿旋转运动能按0.01~99.99r/min范围内实现无级调速,转动速度平稳,正反恒速回转。通过乙方提供的通信协议,甲方可自行拓展,实现速度可调的梯形波、三角波及正弦波等旋转功能。

                炉体高温下连续工作时间不低于720小时,全套设备采用工业计算机控制。其中加热炉采用独立多段加热单元,炉内最高温度可达到1200℃,温度控制精度为0.1℃;温度分布配置为两段可调恒温区和一小段梯度区:高温恒温区的长度≥350mm,温度不均匀性≤±1.5℃,低温恒温区的长度≥260mm,温度不均匀性≤±2℃。

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