低缺陷碲锌镉生长设备主要用于生长碲锌镉单晶材料，2000年从第一代产品开发起，目前的为我公司开发的第三代碲锌镉单晶生长设备，具有独特的专利技术，大大提高了炉膛的径向温度均匀性和稳定性;该设备为VB方法生长单晶。有THM单炉体，双炉体，四炉体设备，炉膛内径50-152mm。

　　低缺陷碲锌镉生长设备的调速范围大：炉体上下移动和安瓿旋转二个动作。炉体上下移动速度即0.01-99.99mm/min，0.01-99.99mm/hr。安瓿旋转运动能按0.01～99.99r/min范围内实现无级调速，转动速度平稳，正反恒速回转。通过乙方提供的通信协议，甲方可自行拓展，实现速度可调的梯形波、三角波及正弦波等旋转功能。

　　炉体高温下连续工作时间不低于720小时，全套设备采用工业计算机控制。其中加热炉采用独立多段加热单元，炉内最高温度可达到1200℃，温度控制精度为0.1℃;温度分布配置为两段可调恒温区和一小段梯度区：高温恒温区的长度≥350mm，温度不均匀性≤±1.5℃,低温恒温区的长度≥260mm，温度不均匀性≤±2℃。